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芯人必读丨破译圈内暗语!收好这份半导体词典

发布时间:2022-09-23 20:53:43 来源:天博在线

  受主即为掺入半导体中的一类杂质,它能承受半导体中的价带电子,发生同数量的空穴,然后改动半导体的导电功用。

  受主即为掺入半导体中的一类杂质,它能承受半导体中的价带电子,发生同数量的空穴,然后改动半导体的导电功用。

  AEI即AfterEtchingInspection,在蚀刻制程光阻去除前和光阻去除后,分别对产品实施主检或抽样查看。

  一般AEI查看出来的不良品,非必要时很少做修正。因为除掉氧化层或重长氧化层或许构成组件特性改动牢靠性变差、缺点密度添加。出产本钱增高,以及良率下降的缺点。

  有源器材一般用来信号扩大、改换等,无源器材用来进行信号传输,或许通过方向性进行“信号扩大”。电容、电阻、电感都是无源器材,IC、模块等都是有源器材。

  一种金属元素,质地坚韧而轻,有延展性,简单导电。遍及用于半导体器材间的金属连线,但因其易引起spike及Electromigration,故实践中会在其间参加适量的Cu或Si。

  扩大器是能把输入信号的电压或功率扩大的设备,由电子管或晶体管、电源变压器和其他电器元件组成。

  快速退火:脉冲激光法、扫描电子束、接连波激光、非相干宽带频光源(如卤光灯、电弧灯、石墨加热器、红外设备等)

  模仿比较器是将模仿量与一标准值进行比较。当高于该值时,输出高(或低)电平,反之,则输出低(或高)电平。

  弧光反响室,事实上便是一个直流式的电浆发生器。因为所操作的电流-对-电压的区域是在弧光电浆内。

  与正向偏置比较,交流电源的正、负极方位,即P区接电源负极,N区接电源正极,就构成了PN结的反向偏置。

  为了防止铝合金与硅的的触摸界面发生尖峰(spiking)现象,并下降互相的触摸电阻,在铝合金与硅之间参加一层称为阻障层的导体资料,常见的有Ti/TiN及TiW。

  B.O.E.是HF与NH4F依不同份额混合而成。6:1BOE蚀刻即表明HF:NH4F=l:6的成份混合而成。HF为首要的蚀刻液,NH4F则做为缓冲剂运用。运用NH4F固定[H]的浓度,使之坚持必定的蚀刻率。

  假定流体在芯片外表流速为零,则流体在层流区及芯片外表将有一个流速梯度存在,称为鸿沟层(BoundaryLayer)

  二进制代码:由两个根本字符0、1组成的代码。其间,码元:一位二进制代码。码字:N个码元能够组成的不同组合,恣意一个组合称一个码字。

  在线性代数中,基(basis)(也称为基底)是描绘、描写向量空间的根本东西。向量空间的基是它的一个特别的子集,基的元素称为基向量。

  双极结型晶体管又称为半导体三极管,它是通过必定的工艺将两个PN结结合在一起的器材,有PNP和NPN两种组合结构。

  BPSG:为硼磷硅玻璃,含有B,P元素的SiO2,参加B,P能够下降Flow温度,而且P吸附一些杂质离子,活动性比较好,作为ILD的平整化介质。

  用以带着必定制程反响物(液体或气体)进反响室的气体,例如用N2带着液态TEOS进炉管,N2即可称为载气。

  专指一密闭的空间,而有特别的用处、比如抽真空,气体反响或金属溅镀等。因而常需对此空间的种种外在或内涵环境加以操控;例如外在粒子数(particle)、湿度等及内涵温度、压力、气逞流量、粒子数等到达最佳的反响条件。

  当在MOS的闸极加上电压(PMOS为负,NMOS为正)。则闸极下的电子或电洞会被其电场所招引或排挤而使闸极下的区域构成一回转层(Inversionlayer)。也便是其下的半导体p-type变成N-typeSi,N-type变成p-typeSi,而与源极和汲极成同type,故能导通汲极和源极。咱们就称此回转层为通道。信道的长度ChannelLength对MOS组件的。

  IC的制作,根本上是由一层一层的图画堆积上去,而为了了解堆积图画的结构,以改进制程,或处理制程问题,以电子显微镜(SEM)来调查,而切开横截面,调查横截面的办法,是其间较为遍及的一种。

  将一个外表温度降到极低,乃至结近绝对零度时,与这个外表相触摸的气体分子,将会发生相改动,而凝聚在低温外表上,称为低温凝聚。还有一些气体尽管不能凝聚,但与低温外表触摸后,将因为外表与分子间的凡得瓦力(VanderWaalsForce)而吸附在低温外表上,且活动性大减,称为低温吸附,低温泵(CryogenicPump)便是运用低温凝聚和低温吸附的原理,将气体分子从容器里排出,以到达下降容器压力的意图。

  Cryopump原理:是运用吸附原理而作业:Cryopump为高真空pump,应该和低真空pump合作运用,作业前哨mbar,不然无法作业。当吸附气体饱满后,要做regen,行将高温N2通入使凝聚的气体开释而排出pump。入口处挡片吸附水泡,里边的特别气体吸附(成液态状)。

  当以SOG来做介电层和平整化的技能时,因为SOG是一种由溶剂与含有介电质料的资料,经混合而构成的一种液态介电资料,以旋涂(Spin-onCoating)的办法涂布在芯片的外表,有必要通过热处理来趋离SOG自身所含的溶剂,称之为Curing。

  指质料由投入出产线到产品于出产线产出所须的出产/制作时刻。在TI-Acer,出产周期时两种解说:一为芯片产出周期时刻(wafer-outtime);一为制程周期时刻(Processcycletime)。

  制程周期时刻则指一切芯片于单一工站均匀出产/制作时刻的总和,亦即每一工站均有一均匀出产/制作时刻,而各工站(自始至终)均匀出产/制作的加总即为该制程的制程周期时刻。现在TI-AcerLineReport的出产周期时刻乃探用制程周期时刻。

  电浆是人类近代物化史上严重的发现之一,指的是一个遭受部分离子化的气体,气体里边的组成有各种带电荷的电子,离子,及不带电的分子和原子团等。电浆发生器的两金属极板上加上直流电压而发生的电浆咱们称为直流电浆。

  脱离电浆的带正电荷离子,在暗区的电场的加快下,将取得极高的能量,当离子与阴电极发生炮击之后,依据能量传递的原理,离子炮击除了会发生二次电子以外,还会把电极外表的原子给冲击出来,称为sputtering.电极板加直流电压称为DCSputtering。

  缺点密度系指芯片单位面积上(如每平方公分,每平方英寸等)有多少缺点数之意,此缺点数一般可分两大类:A.可视性缺点B不可视性缺点。前者可藉由一般光学显微镜查看出来(如桥接、断线)后者则须藉助较精细电子仪器查验(如晶格缺点)因为芯片制作进程甚为杂乱绵长,芯片上缺点数愈少,产品良率质量必定愈佳,故缺点密度常被用来作为一个工厂制作的产质量量好坏的目标。

  CVD沈积后因为所沈积的薄膜(ThinFilm)的密度很低,故以高温进程使薄膜中的分子从头结合以进步其密度,此种高温进程即称为密化。密化一般以炉管在800℃以上的温度完结,但也可在RTP(RapidThermalProcess)(快速升降温机台)完结。

  望文生义即阱的深度。通过离子植入法植入杂质如磷离子或硼离子,然后通过Drivein将离子往下推所到达的深度。

  因为半导体制程技能,系一门专业、精美又杂乱的技能,简单遭到不同制作设备制程办法(RECIPE)的影响,故在考虑各项产品怎么从事制作技能完善、成功地制作出来时,须有一套标准来做有关技能上的规矩,此即DesignRule,其系依照各种不同产品的需求、标准,制作设备及制程办法、制程才干,各项相关电性参数标准等考虑,修订了如:

  同一芯片上的每个晶粒都是相同的结构,具有相同的功用,每个晶粒经包装后,可制成一颗颗咱们日常日子中常见的IC,故每一芯片所能制作出的IC数量是很可观的。同样地,假如因制作的疏忽而发生的缺点,往住就会触及成百成千个产品。

  1.杰出的stepcoverage,2.低介电常数,3.高溃散电压,4.低应力,5.平整性好。

  在一杯很纯的水上点一滴红墨水,不久后可发现水外表色彩逐渐淡去,而水面下逐渐染红,但色彩是愈来愈淡,这便是分散的一例。在半导体工业上常在很纯的硅芯片上以预置或离子植入的办法做分散源(即红墨水)。因固态分散比液体慢许多(约数亿年),故以进炉管加高温的办法,使分散在数小时内完结。

  在半导体工业上常在很纯的硅芯片上以预置或离子植入的办法做分散源(即红墨水)。因固态分散比液体慢许多(约数亿年),故以进炉管加高温的办法,使分散在数小时内完结。这样的炉管就叫做分散炉。

  IC制作进程中,常需求用酸碱溶液来蚀刻,清洗芯片。这些进程之后,又须运用水把芯片外表残留的酸碱铲除。而且水的用量是恰当大。

  可是IC工业用水,并不是一般的自来水,而是自来水或地下水通过一系列的纯化而成。本来自来水或地下水中,含有很多的细菌,金属离子及Particle,经厂务的设备将之灭菌过滤和纯化后,即可把金属离子等杂质去除,所得的水即称为去离子水。专供IC制作的用。

  在本来本征的半导体里自动的植入或通过分散的办法将其它的原子或离子掺入进去,到达改动其电功用的办法。如离子植入。

  随机存取回忆器可分动态及静态两种,首要的差异在于动态随机存取内存(DRAM),在一段时刻(一般是0.5ms~5ms)后,数据会消失,故有必要在数据未消失前读取原数据再重写(refresh),此为其最大缺点,此外速度较慢也是其缺点。而DRAM的最大长处为,其每一回忆单元(bit)只需一个Transistor(晶体管)+一个Capacitor(电容器),故最省面积,而有最高的密度。而SRAM则有不需重写、速度快的长处,可是密度低,其每一回忆单元(bit)有两类:

  因为上述它优缺点,DRAM一般皆用在PC(个人计算机)或其它不需高速且回忆容量大的回忆器,而SRAM则用于高速的中大型计算机或其它只需小回忆容量,如:监视器(Monitor)、打印机(Printer)等周操控或工业操控上。

  离子植入(ionimplantation)尽管能较精确地挑选杂质数量,但受限于离子能量,无法将杂质打入芯片较深(um级)的区域,因而需借着原子有从高浓度往低浓度分散的性质,在恰当高的温度去进行,一方面将杂质分散到较深的区域,且使杂质原子占有硅原子方位,发生所要的电性,别的也可将植入时发生的缺点消除。此办法称的驱入。此法不再参加半导体杂质总量,只将外表的杂质往半导体内更深化的推动。

  在驱入时,常通入一些氧气﹒因为硅氧化时,会发生一些缺点,如空泛(Vacancy),这些缺点会有助于杂质原子的分散速度。别的,因为驱入是藉原子的分散,因而其方向性是各方平等,乃至有或许从芯片逸出(out-diffusion),这是需求留意的。

  当NMOS的沟道缩短,沟道挨近汲极区域的载子将倍增,这些因载子倍增所发生的电子,一般吸往汲极,而添加汲极电流的巨细,部分电子则足以射入闸氧化层里,而发生的电洞,将流往低材,而发生底材电流;另一部分的电洞则被源极搜集,使npn现象加强,热电子的数量添加,足使更多的载子倍增,当超越闸极氧化层的承受才干时,就击穿闸氧化层,咱们将这种现象叫电溃散。

  电子搬迁指在电流作用下的金属。此系电子的动量传给带正电的金属离子所构成的。当组件尺度愈缩小时,相对地电流密度则愈来愈大;当此大电流通过集成电路中的薄金属层时,某些当地的金属离子会堆积起来,而某些当地则有金属空缺景象,如此一来,堆积金属会使附近的导体短路,而金属空缺则会引起断路。资料搬动首要原动力为晶界分散。以溅镀法所堆积的Al,通过恰当的Anneal之后,一般是以多晶(Poly-Crystalline)办法存在,当导电时,因为电场的影响,Al原子将沿着晶粒界面(Grain-Boundary)移动。

  电子搬迁牢靠度测验,当电流通过金属导线,使金属原子取得能量,沿区块鸿沟(GrainBoundaries)分散(Diffusion),使金属线发生空泛(Void),乃至开裂,构成失效。

  EPROM,MASKROM内所存的数据是在FAB内制作进程中便已设定好,制作完后便无法改动。就像任天堂游戏卡内的MASKROM,存的是金牌玛丽,就无法变成双截龙。而EPROM是在ROM内加一特别结构叫AFAMDS,它可使ROM内的数据保存。但常紫外光照到它时,它会使ROM内的数据消失,每一个回忆单位都归零。然后工程人员再依程序的标准,用30伏左右的电压将0101…数据灌入每一回忆单位。如此就可灌电压,照紫光,重复运用,存入不同的数据。

  在集成电路的制程中,常常需求将整个电路图画界说出来,其制作程序一般是先长出或盖上一层所需求的薄膜,再运用微影技能在这层薄膜上,以光阻界说出所欲制作的电路图画,再运用化学或物理办法将不需求的部份去除,此种去除进程,便称为蚀刻(ETCH)。

  一般蚀刻可分为湿式蚀刻(WETETCH),及干式蚀刻(DRYETCH)两种。所谓湿蚀刻乃是运用化学品(一般是酸液)与所欲蚀刻的薄膜,起化学反响,发生气体或可溶性,生成物,到达图画界说的意图。而所谓干蚀刻,则是运用干蚀刻机台发生电浆将所欲蚀刻的薄膜,反响发生气体,由PUMP抽走到达图画定表的意图。

  将咱们的蒸镀源放在坩埚里加热,当温度升高到挨近蒸镀源的熔点附近。这时,本来处于固态的蒸镀源的蒸腾才干将特别强,运用这些被蒸腾出来的蒸镀源原子,咱们在其上方不远处的芯片外表上,进行薄膜堆积。咱们将这种办法叫蒸镀。

  Fabrication为安装或制作之意,与Manufacture意思相同。半导体制作程序,其进程繁复,且制程杂乱,需求有十分精细的设备和仔细的作业,才干到达无缺点的质量。FAB系Fabrication的缩写,指的是工厂之意。咱们常称FAB为晶圆区,例如:进去FAB之前须穿上防尘衣。

  FieldOxide场氧化层,Field直译的意思是场。如运动场,足球场和武道场等的场都叫做Field。它的寓意便是一个有专门用处的区域。

  在IC内部结构中,有一区域是阻隔电场的当地,一般介于两个MOS晶体管之间,称为场区。场区之上大部份会长一层厚的氧化层。

  在离子植入机的离子源反响室里用来发生电子以解离气体用。一般选用钨、钽及钼等高温金属。运用直流电的加热,使灯丝外表开释出所谓热离化电子。

  用过滤器(FILTER,为一半透明膜折迭而成)将液体或气体中的杂质给过滤掉,此称为Filtration(过滤)故IC制作业对洁净度的要求是十分的严,故各种运用的液体或气体(包含大气)有必要借着过滤以到达洁净的要求。

  固定氧化层电荷坐落离Si-SiO2接口30?的氧化层内,一般为正电荷。与氧化条件、退火条件及硅外表方向有关。

  Foundry首要是承受客户托付,出产客户自有权力的产品,也便是客户供给光罩,由联华来出产制作,在将成品出售给客户,只收取代工费用,这种朴实代工,不触及出售的办法在国际间较一般的称号就叫硅代工(SiliconFoundry)。

  HEPA为CleanRoom内用以滤去微粒的设备,一般以玻璃纎维制成,可将0.1μm或0.3μm以上的微粒滤去99.97﹪,压力损践约12.5mm-H2O。层流台能坚持Class100以下的洁净度,即靠HEPA到达。现在除层流台运用HEPA外,其它如烤箱、旋起色,为了到达操控Particle的作用﹒也都装有HEPA的规划。

  以加强型NMOS为例,当MOS管的通道长度变短,通道内的横向电场将添加,这使通道内的电子因电场加快所取得的能量上升,尤其是在通道与漏极相接的附近,电子的能量很高。因为这些电子的能量比其它尚处在在热平衡状况的电子要高,所以称为热电子。

  在VLSI的年代,ShortChannelDevice势在必行,而现在一般Circuit运用上又未计划更改SupplyVoltage;如此一来,Vg=Vds=5V状况下,将构成ImpactIonization(碰击游离化)现象发生于Drain附近区域。随同而生的Electron-Holepairs(电子电洞对),绝大部份经由Drain(Electrons)orSub.(Holes)导流掉。但依据计算观念,总会有少部份Electrons(i.e.Hot-Electrons)所具Energy,足以战胜Si-SiO2的BarrierHeight(能障),而射入SiO2,且深陷(Trap)其间。另亦有或许在Hot-Electrons射入进程中打断Si-H键结,而构成InterfaceTrap于Si-SiO2界面。不论遵从上述二者之任一,均将导致NMOSPerformance的退化(Degradation)现象。

  离子注入:将具有很高能量的杂质离子射入半导体衬底中的掺杂技能,掺杂深度由注入杂质离子的能量和质量决议,掺杂浓度由注入杂质离子的数目(剂量)决议。

  质料的缺点与施加与物体的外力,是两个构成物体受应力的首要来历,前者就称为内应(IntrinsicStress),后者则称为外应力(ExtrinsicStress),IntrinsicStress是薄膜发生龟裂的首要原因,它又分为拉伸应力(TensileStress)和揉捏应力(CompressiveStress)两种。

  离子植入机中发生所要植入杂质离子的部分,首要由ArcChamber,Filament组成,杂质气体或固体通入ArcChamber,由Filament发生的电子进行解离而发生离子。

  在蚀刻反响中,除了纵向反响发生外﹒横向反响亦一起发生(见左图),此种蚀刻即称之为等向性蚀刻,一般化学湿蚀刻多发生此种现象。

  干式蚀刻,其蚀刻后的横截面具有异向性蚀刻特性(Anisotropic),即可得到较陡的图形。

  Layout此名词用在IC规划时,是指将规划者依据客户需求所规划的线路,经由CAD(计算机辅助规划),转换成实践制作IC时,所需求的光罩布局,以便去制作光罩。因为此一布局作业﹒关系到光罩作出后是和原规划者的要求契合,因而有必要依据必定的规矩,比如一场游戏相同,有必要循必定的规矩,才干顺畅完结。而布局完结后的图形便是IC工厂制作时所看到的光罩图形。

  Local Oxidationof Silicon即区域氧化,简称LOCOS,是FieldOxide一种制作办法,即在有SiN层作为幕罩的状况下让芯片进入炉管进行FieldOxide的制作。

  LPCVD的全名是Low Pressure Chemical Vapor Deposition,即低压化学气相堆积。这是一种堆积办法。在IC制程中,首要在生成氮化硅,复晶二氧化硅及非晶硅等不同资料。

  在微影的阶段中,必要的线路或MOS电晶体的部分结构,将被印制在一片玻璃片上,这片印有集成电路图形的玻璃片称为光罩(Mask);在离子植入或LOCOS氧化时,上面会有一层氧化层或SiN层作为幕罩(Mask),以下降离子植入时的通道效应或氧化时的阻挠。

  构成IC的晶体管结缸可分为两型一双载子型(bipolar)和MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)。双载子型IC的运算速度较快但电力耗费较大,制作工程也杂乱,并不是VLSI的干流。

  而MOS型是由电场效应晶体管(FET)集积化而成。先在硅上构成绝缘氧化膜之后,再由它上面的外加电极(金属或复晶硅)参加电场来操控某动作,制程上比较简单,也较不耗电,最早成为实用化的是P-MOS,但其动作速度较慢,不久,更高速的N-MOS也被选用。一旦进入VLSI的范畴之后﹒NMOS的功率耗费仍是太大了,所以由P-MOS及N-MOS组合而成速度更高、电力耗费更少的互补式金氧半导体(CMOS,ComplementaryMOS)遂成为干流。

  一般金属因为阻值恰当低(10-2Ω-cm以下),因而称之为良导体,而氧化物等阻值高至105Ω-cm以上,称之非导体或绝缘体。若阻值在10-2~10-5Ω-cm之间,则名为半导体。

  IC工业运用的硅芯片,阻值便是在半导体的规模,但因为Si(硅)是四价键结(共价键)的结构,若掺杂有如砷(As),磷(P)等五价元素,且占有硅原子的位置(SubstitutionalSites),则多出一个电子,可用来导电,使导电性添加,称之为N型半导体。若掺杂硼(B)等三价元素,且仍占有硅原子的位置,则键结少了一个电子,因而其它电子在满足的热激起下,能够过来添补,如此接连的电子添补,称之为定电洞传导,亦使硅的导电性添加,称为P型半导体。

  因而N型半导体中,其首要常电粒子为带负电的电子,而在P型半导体中,则为常正电的电洞。在平衡状况下(室温)不论N型或P型半导体,其电子均与电洞浓度的乘积值不变。故一方浓度添加,另一方即相对削减。

  当咱们把硅芯片暴露在含氧的环境里时,例如氧气或水,芯片外表的硅原子便会进行如下(一)(二)所示的氧化反响,然后在芯片的外表长出一层二氧化硅层。因为(二)式所示的氧化反响触及到水分子,尽管进行反响的水分子不见得是以液态的办法存在,但咱们习气以干式氧化(DryOxidation)来称号(一)式的反响,而以湿式氧化(WetOxidation)来表明(二)式。因为这两个反响在室温下便得以进行,所以硅芯片的外表一般都会由一层厚度约在数个?到20?不等的SiO2所掩盖。这层因为空气里的氧以及水分子所天然构成的SiO2,则称为原始氧化层。

  NSG(NondopedSilicateGlass,无进入杂质硅酸盐玻璃)为半导体集成电路中的绝缘层资料,一般以化学气相堆积的办法生成,具有杰出的均匀掩盖特性以及杰出的绝缘性质。其首要运用于闸极与金属或金属与金属间凹凸不平的外表发生均匀的掩盖及杰出的绝缘,而且有助于后续平整化制程薄膜的生成。

  欧姆触摸是指金属与半导体的触摸,而其触摸面的电阻值远小于半导体自身的电阻,使得组件操作时,大部分的电压降在于活动区(Activeregion)而不在触摸面。

  它是咱们在操作机台,维护机台等操作状况时的操作手册,它规矩了操作的先后顺序。依照操作攻略才会确保安全,确保作业的顺畅进行。

  半导体中热氧化(Oxidation):在炉管中通入O2(或H2O)与Si反响构成二氧化硅(SiO2)氧化层。

  分散炉是集成电路出产工艺中用来对半导体进行掺杂,即在高温条件下将掺杂资料分散入硅片,然后改动和操控半导体内杂质的类型、浓度和散布,以便建立起不同的电特性区域。

  尘粒污染(ParticleContamination):因为芯片制作进程甚为绵长,通过的机器、人为操作处理甚为冗杂,但因机器、人为均或多或少会发生一些尘粒Particle,这些尘粒一旦沾附到芯片上,即会构成污染影响,而伤害到产质量量与良率,此即尘粒污染。咱们在操作进程中,应不时防着各项尘粒污染来历。

  为IC最终制程,用以阻隔Device和大气。可分两种资料:a﹒大部分产品以PSG当护层(PContent2-4%),b.少部分以PECVD堆积的氮化硅为之。

  因与大气触摸,故着重在Corrosion(铝腐蚀)、Crack(龟裂)、PinHole(针孔)的防冶。

  除了防止组件为大气中污染的阻隔之外,护层可当作基层Metal层的维护,防止Metal被刮伤。

  光阻(Photo Resist)为有机资料,系运用光线照耀,使有机物质进行光化学反响而发生分子结构改动,再运用溶剂使的显像。

  现在一般商用光阻首要含二部份(1)高分子树脂(2)光活性物质,依作业原理不同可分为正,负型二类:

  (1)正型:光活性物质为DIAZOQUINOUE类,照光前难溶于碱液中,有按捺溶解树脂功用,照光后发生酸,反有利于碱液溶解,因而可区别曝光区与非曝光区。

  (2)负型:光活性物质为Diazlde类,照后生成极不安靖的双电子自由基,能与高分子树脂键结,而添加分子量,挑选恰当溶剂便可区别分子量不同的曝光区与非曝光区。

  物理气相堆积(Physical Vapor Deposition),一般简称为(PVD),便是以物理现象的办法,来进行薄膜堆积的一种技能。在半导体制程的开展上,首要的PVD技能有蒸镀(Evaporation)以及溅镀(Sputter)等两种。前者是借着对被蒸镀物体加热,运用被蒸镀物在高温(挨近其熔点)时所具有的饱满蒸气压,来进行薄膜的堆积的;而后者,则是运用电浆所发生的离子,借着粒子对被溅镀物体电极(Electrode)的炮击(Bombardment),使电浆的气相(VaporPhase)内具有被镀物的离子(如原子),然后依薄膜的堆积组织,来进行堆积。

  Pilot Wafer为试作芯片,并非出产芯片(Prime Wafer)。在操作机器前,为了确认机器是否正常所作的试片,或机器作完修理、保养后所作的测验用芯片均称为Pilot Wafer,因为Pilot Wafer所作出来的成果将决议该批的制程条件,故处理PilotWafer时,所抱持的情绪有必要和处理Prime Wafer相同稳重。

  在光阻制程所谓的针孔,便是在光阻掩盖时,光阻薄膜无法彻底盖住芯片外表,而留有细微如针孔般的缺点,在蚀刻制程时,很或许就被蚀刻穿透,而致芯片的作废。

  在以往运用负光阻制程时,因为负光阻黏稠性较大,掩盖较薄,因而,简单呈现针孔,故有些层次(如Contact),有必要掩盖两次,才干防止针孔的发生。现在制程大多运用正光阻,掩盖较原,已无针孔的问题存在,QC亦不做针孔测验。

  硅(Silicon)是IC制作的首要质料之一。一般其结构都是单晶(单一方向的晶体)。而Polysilicon也是硅,仅仅其结构是复晶结构。即其结晶的结构是多方向的,而非单一方向。Polysilicon一般用低压化学气相堆积的办法堆积而得。其首要用处在作MOS的闸极及器材单元的衔接。

  半导体晶圆厂内设备进行出产前,均需以测验硅片来量测堆积膜层厚度、电阻率、B/P含量、Particle等制程参数,量测后的测验硅片运用必定次数后一般会作废。但因近几年来欧、美、日等硅片资料制作厂产能吃紧,加上八寸晶圆厂连续完工,六寸或八寸测验硅片的单价颇高,晶圆厂为节约本钱,一般会送至日本或美国再加工,将测验硅片上的粒子与晶层通过蚀刻与磨平程序,可从头收回卖给晶圆厂运用,称为ReclaimWafer或RecycleWafer(意为「再生」硅片)。

  回流是IC制程中一种特别技能。是在堆积BPSG或BSG。之后,将芯片推入高温炉(850-950℃)一段时刻(20-40min),藉该BPSG高温下的活动,使芯片外表变得较平整。此即回流平整化技能。当BPSG堆积与热活动完结,且通过触摸微影与蚀刻等进程后,为使将来的金属溅镀能顺畅在刚刚界说的触摸窗里堆积,一般将硅片送入刚刚的炉管里,以相同或类似的操作参数,进行BPSG的第二度回流,称为再回流。

  RTP(Rapid Thermal Processing)与炉管最大的差别是:RTP一次只处理一片芯片,但RTP的升温速度够快且均匀。

  硅化物(Silicide),一般指耐火金属(RefratoryMetal)的硅化物,如钛(Ti)、钨(W)、钼(Mo)等元素硅(Si)结合而成的化合物(TiSi2、WSi2、MoSi2)。

  硅化物运用在组件的意图,首要为下降金属与硅界面、闸极或晶体管串连的阻抗,以添加组件的功用。

  硅--SI(全各SILICON)为天然界元素的一种,亦即咱们运用的硅芯片组成元素,在元素周期表中排行14,原子量28.09,以结晶状况存在(重复性单位细胞组成),每一单位细胞为田一个硅原子在中心,与其它4个等位硅原子所组成的四面体(称为钻石结构)如图标中心原子以其4个外围共价电子与附近的原子其原形或其价键的结合。硅元素的电子传导特性介于金属导体与绝缘体资料的间(故称半导体资料),人类可经由温度的改动,能量的激起及杂质进入后改动其传导特性,再合作了恰当的制程进程,便发生许多重要的电子组件,运用在人类的日常日子中。

  氮化硅是SixNy的学名。这种资料跟二氧化硅有甚多类似处。氮化硅一般用低压化学气相沈积法或电浆化学气相堆积法所生成。

  前者所得的薄膜质量较佳,一般作IC阻隔氧化技能中的阻隔层,而后者质量稍差,但因其堆积时温度甚低,能够作IC完结主结构后的维护层。

  SOI绝缘层上有硅(SOI,SiliconOnInsulator)是指将一薄层硅置于一绝缘衬底上。晶体管将在称之为SOI的薄层硅上制备。依据SOI结构上的器材将在本质上能够减小结电容和漏电流,进步开关速度,下降功耗,完成高速、低功耗运转。作为下一代硅基集成电路技能,SOI广泛运用于微电子的大多数范畴,一起还在光电子、MEMS等其它范畴得到运用。

  两种物质彼此溶解混组成一种均匀的物质时,较少的物质被称为溶质,较多的物质,被称为溶剂。例如:糖溶解于水中.变成糖水,则糖为溶质,水为溶剂,混合的成果,称为溶液。

  凡能将特定空间内的气体去除,以减低气体分子数目,构成某种程度的真空状况的机件,统称为真空泵。

  现在出产机台所运用的真空泵,可分为抽气式的有:旋片泵(ROTARYPUMP),洛兹泵(ROOTSPUMP),活塞泵(PISTONPUMP),分散泵(DIFFUSIONPUMP)。及储气式的有:冷冻泵(CRYOPUMP),离子泵(IONPUMP)。

  压力小于1标准大气压的体系。真空体系由以下部分组成:Pump、Valve、Pipe、Gauge、Chamber。

  操控气流开关和气体流量的组件。Valve首要有以下品种:气动阀(常开或常闭)、手动阀、电磁阀。

  相是一种单一均匀的成分的状况。气相(Vapor Phase)是一种单一均匀的成分的气体状况。

  气相堆积(VaporPhaseDeposition),一种薄膜堆积的办法,在气态下气体反响产品或蒸腾物淀积在基体外表的薄膜技能。气相堆积可分为物理气相堆积和化学气相堆积。物理气相堆积又分为蒸镀和溅渡。化学气相堆积又分为APCVD、LPCVD和PECVD。

  硅晶圆资料(Wafer)是半导体晶圆厂(Fab)内用来出产硅芯片的资料,依面积巨细而有三寸、四寸、五寸、六寸、八寸、十二寸(直径)等标准之分。一根八寸硅晶棒分量约一百二十公斤,切开成一片片的八寸晶圆后,送至八寸晶圆厂内制作芯片电路(Die),这些芯片电路再经封装测验等程序,便成为市面上一颗颗的IC。

  硅片传送体系用以完成硅片传送的体系。如硅片的进出炉体系、硅片在cassette与boat、cassette与chamber间的传送体系等等。

  功函数(Work Function):让电子脱离金属原子的临界能量。假如一个能量为EF的金属价电子要脱离金属原子而成为自由电子,它至少取得W-EF的能量,这个能量便是咱们所说的功函数。